Objev feroelektřiny v ultratenkém materiálu by mohl umožnit nevídanou miniaturizaci počítačů

04. 05. 2020

Technologie Energie Počítače

Miniaturizace elektronických zařízení vyžaduje aby materiály, ze kterých se skládají, dokázaly fungovat ve stále menších rozměrech. Vědcům z University of California - Berkeley se nyní podařilo vyrobit materiál, který vykazuje známky feroelektřiny ve vrstvě tlusté pouhé dva atomy. Zařízení s touto technologií bude moct být velmi malé a bude schopno pracovat s menším množstvím energie.

Feroelektrické materiály vykazují permanentní elektrickou polarizaci, která je měnitelná vnějším elektrickým polem. Postupně byla feroelektřina pozorována ve stále tenčích materiálech, ale pod 3 nanometry se vytrácela.

Změnil to až nyní tým vědců vedený Sayeefem Salahuddinim, kterému se podařilo vyrobit na materiálu z křemíku tenkou, nanometrovou vrstvu oxidu hanfičitého (HfO2). Tento materiál prokazatelně vykazoval feroelektrický jev, a to silnější, než u některých tlustějších materiálů.

Objev by mohl vést k vývoji menších mikročipů do počítačů a paměti. S tak malými rozměry by mohlo být možné stavět menší zařízení, než bylo dodnes považováno za možné. Tenké feroelektrické materiály by také mohly přinést lepší baterie a senzory.