Objev feroelektřiny v ultratenkém materiálu by mohl umožnit nevídanou miniaturizaci počítačů

Miniaturizace elektronických zařízení vyžaduje aby materiály, ze kterých se skládají, dokázaly fungovat ve stále menších rozměrech. Vědcům z University of California - Berkeley se nyní podařilo vyrobit materiál, který vykazuje známky feroelektřiny ve vrstvě tlusté pouhé dva atomy. Zařízení s touto technologií bude moct být velmi malé a bude schopno pracovat s menším množstvím energie.



Feroelektrické materiály vykazují permanentní elektrickou polarizaci, která je měnitelná vnějším elektrickým polem. Postupně byla feroelektřina pozorována ve stále tenčích materiálech, ale pod 3 nanometry se vytrácela.

Změnil to až nyní tým vědců vedený Sayeefem Salahuddinim, kterému se podařilo vyrobit na materiálu z křemíku tenkou, nanometrovou vrstvu oxidu hanfičitého (HfO2). Tento materiál prokazatelně vykazoval feroelektrický jev, a to silnější, než u některých tlustějších materiálů.

Objev by mohl vést k vývoji menších mikročipů do počítačů a paměti. S tak malými rozměry by mohlo být možné stavět menší zařízení, než bylo dodnes považováno za možné. Tenké feroelektrické materiály by také mohly přinést lepší baterie a senzory. 
Více informací k tématu
Líbil se Vám tento článek?
Podpořte tento web sdílením našeho obsahu
Chcete vědět o dalším článku?
Následujte LIVINGfUTURE na sociálních sítích


Další zprávy z kategorie
Technologie
tag icon
Další články z kategorie
Technologie